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| BMD Analyzer System MO-441 |
| Bulk Micro Defect Analyzer System |
 本装置は、Siウェハ内の欠陥密度を計測する評価システムです。結晶内の欠陥密度を測定するために、細く絞ったレーザビームを結晶内に入射し、欠陥部分からの散乱光を画像化し、この散乱像から欠陥密度、欠陥密度の動径分布、DZ幅を自動で出力いたします。 |
- エッチング無しでウェハ内部の欠陥を
検出可能
- 高感度 ：数十nmの欠陥を検出可能
- 高速性 ：５秒／１視野
- 高感度カメラ?：900×Flex pixels
- 3D 計測機能?：オプション
- CE 規格? ：取得済み
- ソフトウェア動作環境：WindowsXP
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| １． |
試料
・半割状ウェハ ：6”, 8”, 12”Φ（厚さ0.5〜1.5mm）
・短冊状ウェハ ：10〜20 × 50〜100mm |
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| ２． |
計測
・視野 ：470μ×500μ−470μ×2000μ
・時間 ：5sec (AF時間を除く)
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| ３． |
設置条件
・電源 ：100V（±5％） 15A
・真空源 ：-80kPa〜-100kP
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| ４． |
オプション
・搬送ユニット（2カセット積載可能）
・３−D計測／処理
・ネットワーク機能
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